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2D、2.1D和2.3D集成电路集成技术概述

引言

随着半导体行业不断追求更高性能和更小尺寸,先进封装技术在多芯片异构集成中变得越来越重要。本文概述2D、2.1D和2.3D集成电路集成方法,重点介绍主要特点、制造过程和应用。


2D集成电路集成

2D集成电路集成指的是将多个芯片并排放置在封装基板或印刷线路板(PCB)上。这种方法实现了基本的多芯片集成,而无需复杂的3D堆叠。


主要的2D集成方法包括:

金线键合

金线键合是一种传统方法,使用细金线连接芯片焊盘和基板焊盘:

图1:展示多芯片金线键合


倒装芯片

在倒装芯片技术中,芯片表面的焊球直接与基板焊盘键合:

图2.展示多芯片倒装芯片键合


金线键合和倒装芯片的组合

一些封装使用金线键合和倒装芯片的组合方式连接不同的组件:

图3.展示同时使用金线键合和倒装芯片的封装


扇出型晶圆级封装(FOWLP)

FOWLP通过将芯片连接重新分布到芯片区域之外,实现更高的I/O密度。主要有两种方法:

  • 芯片优先:先将芯片嵌入模塑料中,然后形成重布线层(RDL)。

  • 芯片后置:先形成RDL,然后再附着芯片。

图4.展示扇出型封装的示例


2.1D集成电路集成

2.1D集成涉及在标准封装基板上创建细间距互连,弥补了2D和3D集成之间的差距。

2.1D集成的主要特点:

  • 在常规基板上构建具有细线/间距(L/S)的薄膜层

  • 实现比标准基板更高的互连密度

  • 不需要硅通孔(TSV)

  • 相比完整的3D集成成本更低


2.1D集成方法的例子:

新光电气的i-THOP

新光电气的集成薄膜高密度有机封装(i-THOP)在有机基板上使用薄膜层:

图5. 展示i-THOP结构


英特尔的EMIB

英特尔的嵌入式多芯片互连桥(EMIB)在封装基板中嵌入硅桥,用于芯片间连接:

图6. 展示英特尔的EMIB技术


台积电的LSI

台积电的局部硅互连(LSI)在模塑料中嵌入硅桥,用于芯片互连:

图7. 台积电的LSI概念


2.3D集成电路集成

2.3D集成指的是在标准封装基板上使用无核心有机或无机中介层。这种方法提供了比2.1D更高的互连密度,同时避免了使用TSV进行全3D堆叠的复杂性。


2.3D集成的主要特点:

  • 无核心中介层实现更精细的互连

  • 比传统基板具有更高的布线密度

  • 更好的电气性能

  • 更小的形状因子

  • 相比基于TSV的3D集成成本更低


2.3D集成的挑战:

  • 由于缺少核心而导致的翘曲

  • 层压材料可能出现碎裂

  • 需要新的制造基础设施


有机中介层制造方法

传统PCB/SAP工艺

这种方法使用标准PCB制造技术创建有机中介层:

图8. 新光电气的有机中介层概念


扇出型(芯片优先)工艺

使用芯片优先的扇出型晶圆级封装技术创建中介层:


图9. Statschippac的扇出型有机中介层


扇出型(芯片后置)工艺

使用芯片后置或RDL优先的扇出型工艺制造中介层:


图10. 三星的扇出型有机中介层工艺


案例研究:欣兴电子的2.3D RDL中介层

让我们详细研究一个使用欣兴电子RDL中介层技术的2.3D集成例子:

测试载体

测试载体包含两个芯片:

  • 大芯片:10mm x 10mm x 150μm,3,592个I/O

  • 小芯片:5mm x 5mm x 150μm,1,072个I/O

  • 最小焊盘间距:50μm


图11. 测试芯片细节


RDL中介层

RDL中介层特点:

  • 3个金属层,线宽/间距分别为2/2μm、5/5μm和10/10μm

  • 在515mm x 510mm玻璃载体上制造

  • 顶部4,664个焊盘用于芯片附着

  • 底部4,039个焊盘用于C4凸点附着


图12. RDL中介层结构


构建封装基板

使用常规的2-2-2构建基板:

  • 尺寸:23mm x 23mm x 1.3mm

  • 顶部4,039个焊盘与RDL中介层匹配

  • 底部475个焊盘用于BGA附着


图13. 构建基板细节


混合基板形成

RDL中介层通过C4凸点附着到构建基板上:

  1. 在RDL中介层焊盘和基板凸点上涂抹助焊剂

  2. 将RDL中介层与基板对齐并放置

  3. 回流形成焊点

  4. 填充底部填充物


图14. 混合基板的横截面


最终组装

  1. 从RDL中介层上移除玻璃载体

  2. 使用微凸点将芯片附着到暴露的RDL中介层表面

  3. 填充底部填充物


图15. 展示最终封装的横截面


可靠性分析

进行了有限元分析以评估热循环可靠性:

  • 温度循环:-40°C至85°C

  • 关键区域:微凸点和C4凸点焊点


主要发现:

  • 每循环最大累积蠕变应变:5.93%(在微凸点中)

  • 每循环最大蠕变应变能密度:2.63 MPa(在微凸点中)

  • 微凸点焊点经历的应变是C4凸点的4-5倍

  • 整体结构在大多数操作条件下预期可靠

图16. 累积蠕变应变结果


结论

2D、2.1D和2.3D集成电路集成技术为异构集成提供了一系列解决方案,平衡了性能、成本和可制造性。2D集成仍被广泛使用,但2.1D和2.3D方法在高性能应用中正在获得关注。随着行业的不断发展,这些中间集成级别将在传统封装和完整3D集成之间发挥关键作用。


参考文献

J. H. Lau, "Semiconductor Advanced Packaging," Singapore: Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2021.


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