引言
受电子集成芯片(EIC)技术成功的启发, 光电子集成芯片(PIC)领域自1969年问世以来一直在不断发展。然而,与EIC不同,PIC在建立能够支持广泛应用的统一平台方面面临着重大挑战。本文将探讨绝缘体上铌酸锂(LNOI)技术,该技术已成为下一代PIC的解决方案之一。长期以来,铌酸锂(LN)一直被认为是PIC技术的重要材料。然而,直到LNOI薄膜和先进制造技术的发展,其全部潜力才得以实现,研究人员成功地在LNOI平台上创建了超低损耗脊波导和超高Q值微谐振器 [1]。超低光损耗(低至0.01 dB/cm)
高品质纳米光子结构
适用于各种非线性光学过程
集成电光(EO)可调性
在LNOI平台上制造的高质量纳米光电子结构能够以极低的泵浦功率实现多种重要非线性光学过程的演示,转换效率极高。这些过程包括:研究人员已经实施了各种相位匹配方案,在LNOI上实现了这些高效率的非线性过程。LNOI技术还促进了集成电光可调无源和有源光电子器件的发展,例如:高速光调制器
可重构多功能PIC
可调谐光梳
微光学弹簧
这些器件利用铌酸锂固有的电光特性,实现对光信号的快速精确控制。基于LNOI的PIC的实际应用,值得注意的例子包括:这些应用展示了LNOI技术实现与体光器件相当的高光学性能的潜力,同时通过光刻制造提供可扩展性和能源效率。尽管LNOI技术取得了重大进展,但仍有一些挑战需要解决:目前LNOI波导的光损耗(0.01 dB/cm)仍比材料吸收极限高出一个数量级。需要努力改进离子切片技术并优化纳米制造工艺,以减少吸收缺陷和表面粗糙度。在不降低制造可重复性和传播损耗的前提下,实现更窄的波导(<700纳米)和更小的耦合波导之间的间隙(<2微米)对于提高集成密度重要。虽然使用锥形光纤和波导锥体已经证明了高耦合效率,但通过抗反射涂层解决空气-材料界面反射问题可以进一步提高耦合效率。在LNOI平台上开发对偏振不敏感的光子器件和系统,必须能够制造出光学性能与自由空间偏振器相当的光学元件。在不增加光损耗的情况下,将大型控制电子网络高效整合到功能性光网络中,是研究的关键领域。亚微米级分辨率的可靠域图案化对于非线性光学应用非常重要,但在LNOI平台上尚未成为一项成熟的技术。开发补偿因制造缺陷和环境条件变化引起的相位波动的方法对于实际应用重要。解决多LNOI光电子芯片之间高效耦合的挑战,对于将PIC的容量和复杂性扩展到单晶圆制造极限之外很重要。LNOI PIC技术面临的主要挑战之一是实现无源和有源元件的高性价比单片集成。这包括激光器、探测器、非线性波长转换器、调制器和多路复用器/解复用器。目前正在探索多种方法来应对挑战:a)LNOI的离子掺杂:在特定区域选择性掺杂有源离子,可以开发片上光源。
b)键合和异构集成:将已制造的被动LNOI PIC与掺杂LNOI键合,或与III-V激光器异构集成,是另一种潜在的解决方案。
c)混合主动/被动LNOI晶圆制造:一种新颖的方法是在离子切片之前将掺杂和未掺杂的LN晶圆键合在一起,从而制造出同时具有主动和被动区域的LNOI晶圆。
图1展示了制造混合集成有源/无源PIC系统的概念,通过单一光刻制造工艺实现了有源和无源元件的无缝集成,确保了两种元件之间的精确对准。
将光电探测器集成到基于LNOI的PIC中是开发全功能器件的另一个关键方面。目前有两种主要方法正在探索中:通过瞬态耦合,可以将有源半导体纳米结构集成到LNOI波导上。然而,仍需提高检测效率和可扩展性。利用LN的非线性特性,波导中的光波频率可以向上或向下移动,从而可以使用广泛采用的硅光电探测器,而无需考虑器件的工作波长。LNOI技术的快速发展使我们离实现统一PIC平台能够支持广泛应用的愿景更近了一步。通过应对当前挑战,并在单片集成和光电探测器集成等领域不断创新,基于LNOI的PIC有可能改变电信、量子信息处理和传感等领域。LNOI有望实现开发PIC的长期梦想,使其与电子集成电路的成功和影响力相媲美。通过持续的研究和开发,例如南智光电工艺平台与Whoscored中文官网设计平台合作,可以期待LNOI技术在塑造集成光电子的未来发挥关键作用,并在各种技术领域创造新的可能性 (图2、图3)。

[1]Y. Cheng, "Lithium Niobate Nanophotonics," Jenny Stanford Publishing, 2021.
[2]南智光电, https://www.ioptee.com/article.html?id=510
[3]Whoscored中文官网, https://latitudeda.com/