
1.单波长激光器:此类激光器以单一特定波长发射光,适用于单通道链路或波分复用(WDM)系统。例如分布式反馈(DFB)激光器和分布式布拉格反射器(DBR)激光器。
2.多波长激光器:此类激光器同时以多个离散波长发射光,无需为每个通道配备单独的激光器即可实现WDM。例如锁模激光器和克尔频率梳激光器。
3.可调谐波长激光器:此类激光器可在一定范围内调整输出波长,为可重构波分复用网络提供灵活性。例如,采样光栅DBR激光器和游标环激光器。
图1
1.分体式激光器:激光器是单独的组件,通过光纤与硅光子集成电路(PIC)耦合。这样可以对激光器和PIC进行独立优化,但会产生耦合损耗。
2.混合集成:III-V激光芯片通过倒装芯片键合或光子线键合等技术连接到硅光子集成电路(PIC)上。这样可以实现更紧密的集成,同时仍允许单独制造。
3.异构集成:III-V材料直接粘结在硅芯片上,使激光器与硅光子元件能够同时制造。这种集成方式可实现最紧密的集成,但需要专门的制造工艺。
4.单片集成:III-V族激光器直接生长在硅基板上。虽然具有挑战性,但这种方法有可能实现大批量生产,从而降低成本。
关键性能要求
数据中心应用的激光器必须满足几个关键的性能指标:
1.输出功率:直接调制激光器的输出功率通常为10-20毫瓦,而用于多通道的外调制激光器的输出功率可能超过100毫瓦。
2.能源效率:低功耗对于大规模部署重要。理想情况下,电光转换效率应超过30%。
3.调制带宽:每波长25-50 Gbps的直接调制速度很常见,未来系统则有望达到100+ Gbps。
4.光谱纯度:对于WDM系统,通常需要具有>30 dB旁模抑制比的单模操作。
5.波长稳定性:对于非制冷操作,激光波长应在20-80°C的温度变化范围内保持稳定。
6.可靠性:在数据中心环境中,激光器在高温(最高80°C)下的使用寿命必须超过10年。
先进的集成激光器
线宽低于千赫的Si3N4外腔激光器
与硅波导耦合损耗小于0.4dB的光子线键合激光器
用于CWDM的InP/Si DFB激光器阵列,在80°C时输出功率超过20 mW
可调谐激光器,可调谐范围超过110 nm,覆盖S+C+L波段
集成InP/Si激光器和Si3N4非线性谐振器的激光孤子微梳
生长在硅片上的量子点激光器,输出功率超过100毫瓦
使用硅基64波长量子点锁模激光器演示了Tbps传输
改进散热设计和散热
使用高温性能更佳的InGaAlAs等材料
量子点增益区域,温度稳定性更高
优化模式转换器和绝热锥
通过先进封装技术实现精确对准
异构集成中的瞬态耦合
集成光隔离器
仔细设计片上反射器和耦合器
使用低线宽增强因子材料,如量子点
集成波长锁定器
使用Si3N4等材料实现低热灵敏度设计
用于固有稳定通道间隔的梳状激光器
利用现有的CMOS制造基础设施
晶圆级测试和集成工艺
通过更高水平的集成简化封装
分离式和集成式激光解决方案的部署范围更广
WDM架构中多波长光源的应用增加
相干系统在一些数据中心应用中崭露头角
分离式激光器在CPO器件中的输出功率更高(>20 dBm)
随着复杂性的增加,异构集成将越来越普遍
集成激光器将可能成为支持大规模并行处理的主流
使用梳状光源的DWDM系统将得到广泛应用
硅基激光器的单片集成可能具有商业可行性
量子点增益区可能成为硅基激光器的标准配置
可能出现新型材料和结构,进一步提升性能