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光电子集成芯片封装的先进光学集成工艺

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光电子集成芯片封装技术概述


光电子集成芯片封装技术代表着将光学元件集成到器件中的重要方法,在高速数据传输、宽带宽通信、低延迟处理和高能效方面展现出强大能力。该技术为克服传统电子元件技术的基本限制提供了解决方案,特别是在高性能半导体、量子计算应用和数据中心对快速数据处理和传输的需求不断增长的背景下[1]。


半导体技术的演进几十年来一直遵循摩尔定律,该定律预测集成线路中的晶体管数量每两年翻一番。然而,当前的技术挑战使集成限制受到质疑,持续这种指数增长变得越来越困难。因此,研究人员提出了"超越摩尔"的概念来克服这些限制,将研究方向分为三种不同的方法:"更多摩尔",强调沿着传统技术轨迹集成芯片和改善性能;"超过摩尔",旨在通过异构集成堆叠芯片来超越现有限制;以及"超越CMOS",涉及开发超出现有技术范围的新计算组件。

图1:根据集成规模分类的光电子集成芯片封装示意图,显示了从器件级集成到芯片级封装再到系统级协同封装方法的递进过程。

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器件级光电子集成方法

有效光电子芯片封装的基础在于掌握器件级集成技术,特别是光纤到芯片集成这一关键过程。这种基本耦合方法是光纤和光电子线路之间光传输的网关,对于实现高效光通信系统必不可少。


芯片级光学互连的研究正在积极推进,以促进大量数据的快速高效传输。为了有效利用光学互连的优势,通过光纤进出芯片的光的高效耦合变得必要。光纤到芯片集成中最关键的问题集中在最小化耦合损耗上,这直接影响整体系统性能。

图2:多种光纤到芯片集成方法,包括具有概念图和SEM图像的3D聚合物耦合、具有光学图像的边缘耦合、光栅耦合器方法,以及具有耦合效率优化结果的逆向设计垂直耦合器。


三种主要耦合方法主导着光纤到芯片集成领域。第一种方法涉及3D聚合物耦合,其中三维聚合物结构作为耦合器有效连接光纤和芯片。这些结构在宏观光纤和纳米级波导之间架起桥梁,通常包括锥形和球形区域,扩展光学模式并引导光束从芯片平面向外传播。制造过程采用最先进的直接激光写入系统与专门的光刻胶,使用精确的切片和填充距离来实现最佳性能。


边缘耦合代表第二种主要方法,利用通过将光纤端部与光学器件表面对准实现的平面内耦合。该方法提供了即使在光纤和光电器件之间的间隙保持较小时也能有效传输光的优势,使其特别适合高密度光电器件集成和小型化光学模块。然而,在光纤纤芯与芯片波导对准时实现亚微米精度需要复杂的对准技术和复杂的制造工艺。


第三种方法采用光栅耦合,利用在特定表面上由各种材料制造的周期性结构。光栅耦合器使来自位于周期性结构上方的光纤的光耦合,光通过光栅结构经历从离面波矢方向到面内波导方向的方向变化。这些耦合器通常在宽带宽上工作,并提供紧凑性优势,因为结构直接形成在光电芯片表面上。


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芯片到芯片集成策略

随着光电组件在光电芯片上变得越来越紧凑和集成,芯片规模的信号传输已成为一个重要考虑因素。每个芯片容纳众多组件,芯片之间的有效通信在芯片封装应用中变得关键,这需要研究最小化损耗并在芯片之间有效耦合信号的芯片到芯片集成方法。

图3:全面的芯片到芯片集成方法,包括具有聚合物溶液的直接光学线键合、具有3D结构的自由形式耦合、基于聚合物波导与硅基光电子的集成、基于聚对二甲苯的聚合物波导,以及基于光纤的多模互连策略。


光电线键合(PWB)作为光学连接芯片的常用方法,功能类似于电线键合,但在工艺和材料方面有所不同。PWB充当每个芯片上光电组件之间的桥梁,利用具有跨越芯片间隙的三维几何形状的线结构中的聚合物波导。通过类似线的聚合物波导,从一个芯片传输的光信号被传送到对面的芯片,实现有源信号处理。该方法通常相比其他先进光学互连技术提供成本优势,同时需要最少的材料和额外的耦合元件,使其紧凑且有利于自动化批量生产。


替代方法包括自由形式耦合元件的原位3D纳米打印,利用使用3D双光子光刻技术直接在相应光学组件的端面上创建的光束整形元件。该技术显著提高设计灵活性,能够精确匹配各种组件的模场剖面,同时确保低损耗耦合效率。高分辨率机器视觉技术和相应的制造工艺在连接芯片时能够在所需方向和位置进行耦合。


聚合物波导集成代表芯片到芯片互连中的另一项重要技术,作为光电芯片之间光信号的高效导管。这些波导由视觉透明的聚合物材料制造,通常表现出平面或圆柱形几何形状,容纳可引导和传输光的通道。通道通过利用聚合物材料的折射率对比在所需方向上引导光,使光信号能够沿波导传播并促进在光电芯片之间的传输。


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芯片内光学重分布

与光纤到芯片和芯片到芯片集成不同,芯片内光学重分布涉及在同一芯片内将光信号从一个光路径传输到芯片内不同层上的另一个路径。该过程需要能够改变原始光路径以将信号传输到不同层的光路径的结构。

图4:芯片内光学重分布方法,包括具有弯曲镜面轮廓的基于镜面的方法和具有层堆叠配置的基于光电Interposer的光学重分布。


基于镜面的光学重分布利用镜面结构实现垂直耦合,允许通过芯片的离面表面进行光学连接并消除芯片边缘抛光工艺的需要。该方法有利于晶圆级测试,并能够实现光电线路的更密集集成以实现紧凑的多层光电芯片。底侧镜面通常设计为弯曲形状以形成准直光束,通常使用灰度直接激光光刻技术而不是传统蚀刻方法来实现。


基于光电Interposer的光学重分布发挥类似于包含电信号重分布层的硅、玻璃和有机Interposer的作用,但能够重分布光信号。在光电芯片封装的系统级别,光电Interposer收集、过滤、路由各种有源和无源器件之间的光并与之接口,通过将多个光电小芯片连接到单个光电Interposer来促进成本、尺寸和重量的降低,同时增强可扩展性。


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光电芯片封装配置

从器件级集成到完整光电芯片封装的进展涉及几种不同的配置,每种都为不同应用提供特定优势。这些封装方法在复杂性和集成级别上有所不同,从基本的单一光电线路封装到在单个基板上集成激光器、光电探测器和光电线路的完全集成解决方案。

图5:不同的光电芯片封装配置,包括具有可编程量子信息处理的单一光电线路封装、具有平衡检测的光电探测器集成封装、具有光电线键合的激光器集成封装,以及使用混合和异构激光器集成方法的完全集成封装。


单一光电线路封装代表最基本的方法,采用在光电芯片上形成的耦合器作为输入和输出端口来接收和传输光信号。该方法提供直接的器件验证和原型制作能力,同时在多芯片集成器件内作为芯片之间的中间桥梁。利用这种封装方法的光电芯片通常在输入和输出端口采用与光纤阵列的直接连接或通过对准光路径和耦合器位置实现的间接连接。


光电探测器集成封装涉及在同一基板上同时制造光电线路和光电探测器。在该配置中,光电探测器通过光电芯片的输入端口从片外激光源接收光,通过光电线路的光被传输到芯片上的光电探测器,在那里转换为电流。该方法需要吸收性体材料光电探测器的异构集成,包括锗光电探测器、III-V光电探测器、范德华异质结构光电探测器和超导纳米线单光子探测器。

图6:光电探测器集成封装中使用的各种类型光电探测器,显示了锗光电探测器结构、III-V光电探测器配置、范德华光电探测器异质结构和超导纳米线单光子探测器(SNSPD)排列。


激光器集成封装将片上激光器与光电线路结合,利用将商用激光二极管连接到光电线路的混合激光器集成方法,或实现与芯片波导直接连接的直接激光器集成方法。该集成通过直接将激光器集成到光电线路中,显著降低互连过程中的潜在损耗,同时增加集成密度和能源效率。


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光电共封装

先进光电封装的最终目标涉及将光电和电子组件集成到单个器件中,将内部数据传输方法从电气方法改变为光学方法。这种光电共封装旨在克服传统电子集成线路封装的基本限制,包括带宽瓶颈、有限的可扩展性、高功耗和严重的信号损耗。

图7:各种光电共封装方法,包括具有集成光电和电子组件的单片协同封装、具有并排排列的2D协同封装、具有光学Interposer和有源光电Interposer的2.5D协同封装,以及具有直接堆叠和光电重分布层的3D协同封装配置。


单片协同封装涉及使用最先进的工艺技术在单个芯片内同时实现光电集成线路和电子集成线路及其各自的功能。该方法通过移除通常用于连接光电和电子集成线路的凸点、焊料和焊盘等互连元件,消除对每个组件单独制造设备的需要,同时最小化电损耗、寄生电流和阻抗失配。


2D协同封装将光电和电子集成线路并排连接在印刷线路板等基板上,通过线键合或倒装芯片键合技术连接。虽然使用已建立的键合方法提供了便利的互连能力,但该方法面临与机械稳定性相关的挑战,因为键合组件可能由于物理冲击和快速温度变化等外部因素而容易脱离。


2.5D协同封装利用包括硅通孔、重分布层和光学耦合器的Interposer来支持各个芯片和印刷线路板之间的电气和光学连接。该方法需要三阶段Assembly过程,但相比其他协同封装方法提供增强的可扩展性和灵活性,促进各种光电和电子集成线路芯片的便利Assembly。


3D协同封装涉及各个光电和电子集成线路的异构集成,相比传统封装方法提供更高密度、增强性能和更低功耗。该方法利用直接键合互连技术在室温下实现电介质的牢固键合,在相对低温下实现金属键合,能够显著减少互连路径距离,同时最小化功耗、寄生效应和电损耗。


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面临的挑战

光电芯片封装技术的进步面临几个必须为实际实施解决的关键挑战。温度变化代表破坏器件可靠性的主要因素,导致热诱导漂移、机械位移和耦合材料故障。这些与温度相关的问题可能由于无法保持一致的输出功率和波长稳定性而损害光电器件的可靠性。

图8:光电集成线路的下一代材料和封装方法,包括具有横截面的铌酸锂平台、III-V半导体方法、2D材料集成概念、微转移打印技术、Chiplet封装排列和晶圆级光电封装实施。


新兴材料如铌酸锂、III-V半导体和2D材料正被引入以克服传统光电集成线路的限制。铌酸锂作为铁电晶体,提供高性能电光效应、优异的非线性光学特性、超低光学损耗和高光学约束,使其成为下一代超快光电调制器的理想材料。III-V半导体是宽带隙材料,可用于在单个制造工艺内集成多个光学组件,在电光调制、频率梳生成和参量频率转换方面提供应用,具有长期耐久性。

图9:光电芯片封装中的挑战,包括激光输出功率和波长的热诱导漂移效应、多层结构中的热诱导位移、光学组件之间的失调敏感性,以及热循环条件下的耦合材料故障率。


包括异构集成微转移打印、基于Chiplet的架构和晶圆级光电封装在内的先进封装方法正在开发以解决当前限制。微转移打印能够在单独的源基板上制造微和纳米级器件,然后使用弹性体印章将其转移到目标基板上,克服传统制造工艺的限制。Chiplet封装允许各种光电集成线路芯片在单独基板上制造,然后混合集成到目标基板上,通过使每个芯片能够通过最佳工艺制造来降低整体制造复杂性。

图10:光电共封装技术的未来发展前景,显示了从目前的电气连接通过近期和远期光学连接向异构光学连接实施的演进。


光电共封装技术的未来指向通过光速计算和通信能力最大化器件性能的异构光学连接实施。预期该进展将通过解决传统电子集成线路互连扩展限制的基于电气互连的光电共封装,随后是改善信息传输速度的基于光学互连的配置,最终达到通过用光电集成线路替换电子集成线路来实施多层光学器件的异构光电器件,为量子计算、高效半导体和先进数据中心的应用实现超快处理、超高速数据传输和极低延迟。


参考文献


[1] K. Baek, M. Kim, H.-S. Kim, J. Ahn, and H. So, "Advanced optical integration processes for photonic-integrated circuit packaging," Adv. Mater. Technol., vol. 2025, art. no. e01848, 2025, doi: 10.1002/admt.202401848.

END


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